112-1 第一原理 期中考

每題須附圖五張，文字字數不限：其中答案須提供畫面證據，且過程或參數設定要擷取四個關鍵畫面。
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一、建立同芯(心) 之 外-Si / 內-Ge 納米球，Ge 直徑 1.5 nm，Si 層厚 0.6 nm。

二、苯環 C6H6 的 C-C 鍵級，如果以 C2H6、C2H4、C2H2 的趨勢來看的話，應該是多少？

三、預測 bcc 鐵的磁矩。又 fcc Co 與 hcp Co ，何者磁性較大？

四、畫出 GaAs 的 能帶結構、選 As 的 PDOS，以及 primitive cell BZ 之 X 點的導帶底波函數(機率密度)。

五、以反鐵磁 NiO 為例，展示加 U 具有可拉寬 局域態 佔據未佔據態間能量差距的效應。